Cell：又称存储单元，对DRAM而言就是芯片的位宽，由若干bit构成（典型的诸如4bit，8bit等），每个bit单独存放到一个存储体中；每个存储体由一个晶体管和一个电容组成，电容的状态决定其逻辑状态是“0”还是“1”。
Bank：由多个存储单元组成，类似一张表格，每一个存储单元由表格的行（Row）和列（Column）进行唯一标识。通过行和列，就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元,这个表格(存储阵列)就是逻辑Bank(Logical Bank，简称L-Bank)。
Chip：内存颗粒，每个chip由多个bank组成。
Rank: 上图示例中，每个rank上有18个内存颗粒，其中0-15为存储内存数据的颗粒，16为存储奇偶校验数据的颗粒，17为存储CRC校验数据的颗粒。
DIMM：dual in-line memory module，以图示DDR4内存为例，单根内存包含两个rank，分布在内存条金手指两端，各自独立传输信号，满足更多数据信号传输需求。
